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3V/3.3V/3.6V/4V/5V穩(wěn)壓LDO芯片

品牌：KOCE,制作工藝：半導(dǎo)體集成,XZ6206系列是高紋波抑制率、低功耗、低壓差，具有過流和短路保護(hù)
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高壓MOS場效應(yīng)管

標(biāo)注的Id電流是MOS芯片的最大常態(tài)電流，實際使用時的最大常態(tài)電

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鋰電保護(hù)IC芯片

型號適用范圍封裝形式TC5088用于單芯鋰離子電池組、鋰聚合物電池
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供應(yīng)2508低功耗LDO線性穩(wěn)壓IC

品牌：KOCE,制作工藝：半導(dǎo)體集成,XZ2508是高性能高紋波抑制率、低功耗、低壓差，具有過流和短路保
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溝道MOSFET

N+P溝道MOSFETNCE1205DFN2X2-6L12V5A1.9W12V24mΩNCE1205DF
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低壓MOS場效應(yīng)管

單P溝道低壓MOS場效應(yīng)管型號類型V(BR)DSSVGSID25CVGS(th)typPD(W
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高壓MOS場效應(yīng)管

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