b．GIS設(shè)備中絕緣子內(nèi)部的氣隙放電在工頻正負(fù)兩個(gè)半周內(nèi)基本相同，即正負(fù)半周放電指紋基本對(duì)稱。放電脈沖一般出現(xiàn)在試驗(yàn)電壓幅值值的上升部分，放電頻率依賴于所加電壓大小，只有在放電強(qiáng)烈時(shí)，才會(huì)擴(kuò)展到電壓值下降部分的相位上，且每次放電的大小不相等。絕緣子缺陷在出廠時(shí)可能并不出現(xiàn)，但在運(yùn)輸及安裝過程中有可能造成損傷。一些缺陷最初可能無害，只是在機(jī)械振動(dòng)和靜電力作用下可能輕微移動(dòng)，形成潛在的隱患。
　　c．絕緣子表面的缺陷（如污穢等）有助于表面電荷的增加，可能會(huì)形成表面放電，導(dǎo)致絕緣子表面的絕緣劣化，甚至擊穿。

《廈門莫格電氣自動(dòng)化有限公司》

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　d．自由導(dǎo)電微粒和固體導(dǎo)體上金屬突起放電的相位分布有著明顯不同。這個(gè)特征通?？梢杂脕韰^(qū)分缺陷的類型。GIS設(shè)備中自由導(dǎo)電微粒有積累電荷能力，在交流電壓作用下，靜電力可使導(dǎo)電微粒在GIS筒內(nèi)跳動(dòng)，如直立旋轉(zhuǎn)、舞動(dòng)運(yùn)動(dòng)等。這種運(yùn)動(dòng)與放電的出現(xiàn)在很大程度上是隨機(jī)的，這一過程與所加電壓大小以及微粒的特性有關(guān)。如果一個(gè)跳動(dòng)的微粒接近或運(yùn)動(dòng)至GIS設(shè)備中的高場強(qiáng)區(qū)時(shí)，伴隨產(chǎn)生的局部放電有可能形成導(dǎo)電通道，造成絕緣擊穿。相對(duì)而言，GIS設(shè)備內(nèi)殘留的金屬碎屑或金屬顆粒產(chǎn)生的各種效應(yīng)是最為嚴(yán)重的，因此，金屬顆粒的放電對(duì)GIS設(shè)備的危害相對(duì)較大。
2．3　檢測方法
　　GIS設(shè)備中的局部放電會(huì)在GIS設(shè)備外殼上產(chǎn)生流動(dòng)的電磁波，使接地線上有高頻放電脈沖電流流過，從而導(dǎo)致外殼對(duì)地呈現(xiàn)高頻電壓并向周圍空間傳播。局部放電還會(huì)使通道氣體壓力驟增，在GIS設(shè)備氣體中產(chǎn)生縱波或超聲波，并在金屬外殼上出現(xiàn)各種聲波，如縱波、橫波和表面波等。GIS設(shè)備中的局部放電也可導(dǎo)致SF6氣體分解或發(fā)光。這些物理和化學(xué)變化的特征，有助于GIS設(shè)備局部放電的檢測。目前，國內(nèi)外普遍采用如下幾種方法。
　　a．外殼電極法　在GIS設(shè)備外殼上敷設(shè)絕緣薄膜和金屬電極，使外殼與金屬電極間構(gòu)成一個(gè)小電容。通過電容將放電信號(hào)耦合至檢測及處理單元，最終顯示GIS設(shè)備局部放電水平。這種方法的原理與傳統(tǒng)的局部放電檢測方法類似，優(yōu)點(diǎn)是檢測靈敏度高，但其致命缺點(diǎn)是易受外界干擾，特別是電網(wǎng)中自然存在的各種脈沖型信號(hào)（如電網(wǎng)中的電暈干擾等）的干擾。
　　b．內(nèi)部電極法　該方法是將GIS設(shè)備法蘭稍加改造，在法蘭內(nèi)部加裝金屬電極，該電極與外殼構(gòu)成耦合電容，以此電容傳感器提取局部放電的脈沖信號(hào)。當(dāng)采用2個(gè)電容傳感器時(shí)即可進(jìn)行GIS設(shè)備局部放電定位，由GIS設(shè)備局部放電信號(hào)到達(dá)2個(gè)傳感器的時(shí)間差確定放電點(diǎn)。另一種內(nèi)電極法是在盆式絕緣子內(nèi)靠近接地端預(yù)先埋設(shè)一個(gè)電極，由此與外殼構(gòu)成耦合電容。內(nèi)部電極法受客觀條件限制，內(nèi)電極只能在廠家生產(chǎn)過程中預(yù)埋設(shè)，現(xiàn)場安裝往往不易實(shí)現(xiàn)。另外，內(nèi)部電極法與外殼電極法都存在現(xiàn)場抗干擾問題。
　　c．外接電流傳感器　上述方法的改進(jìn)形式是在GIS設(shè)備的接地線上加裝脈沖電流傳感器。由于現(xiàn)場GIS設(shè)備通常是多處接地，不易從外殼接地線上檢測脈沖電流，因此該方法的應(yīng)用具有很大的局限性。
　　d．振動(dòng)法　G

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