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3500/15-02-02-00

2018-07-04 11:03　作者: gw18030229053　點(diǎn)擊: 476

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英維思

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電子產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展極大地推動(dòng)了開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展。高頻小型化的開(kāi)關(guān)電源及其技術(shù)已成為現(xiàn)代電子設(shè)備供電系統(tǒng)的主流。在電子設(shè)備領(lǐng)域中，通常將整流器稱(chēng)為一次電源，而將DC／DC變換器稱(chēng)為二次電源。目前，在電子設(shè)備中用的一次電源，傳統(tǒng)的相控式穩(wěn)壓電源己被高頻開(kāi)關(guān)電源取代，高頻開(kāi)關(guān)電源(也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)型整流器SMR)通過(guò)MOSFET或IGBT 實(shí)現(xiàn)高頻工作，開(kāi)關(guān)頻率一般控制在20kHz~100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。近幾年，開(kāi)關(guān)整流器的功率容量不斷擴(kuò)大，單機(jī)容量己從48V／12．5A、48V／20A 擴(kuò)大到48V／200A、48v／400A，甚至是更高的電壓功率范圍。

由于電子設(shè)備中所用的集成電路的種類(lèi)繁多，其電源電壓也各不相同，在電子供電系統(tǒng)中，采用高功率密度的高頻DC／DC隔離電源模塊，從中間母線(xiàn)電壓(一般為48V直流)變換成所需的各種直流電壓，可以大大減小損耗、方便維護(hù)，且安裝和增容非常方便。一般都可直接裝在標(biāo)準(zhǔn)控制板上，對(duì)二次電源的要求是高功率密度。因?yàn)殡娮釉O(shè)備容量的不斷增加，其電源容量也將不斷增加。

6 船用開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展趨勢(shì)

開(kāi)關(guān)電源技術(shù)在21世紀(jì)發(fā)展受兩大趨勢(shì)支配，一是環(huán)境問(wèn)題，另一個(gè)是信息和通信技術(shù)的發(fā)展。不僅要推進(jìn)計(jì)算機(jī)、電視機(jī)等電子儀器以及空調(diào)、汽車(chē)等所有設(shè)備的節(jié)能化，而且還應(yīng)對(duì)環(huán)境問(wèn)題直接產(chǎn)生影響的太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、燃料電池等新能源的利用進(jìn)行研究。在21世紀(jì)，太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、燃料電池等新能源已進(jìn)入第4代即智能化時(shí)代，這些變化都將驅(qū)使開(kāi)關(guān)電源變換技術(shù)進(jìn)行新的理論創(chuàng)新和發(fā)展變化，開(kāi)關(guān)電源將向高性能化、智能化、模塊化、高頻化等方向發(fā)展。

6．1 高性能化

高性能化主要包括低損耗、高速度和高可靠性這三個(gè)方面。預(yù)計(jì)在21世紀(jì)IGBT、智能化功率模塊(IPM)等器件的導(dǎo)通電壓可降到1V 以下，而MOSFET、IBGT、MCT等器件的應(yīng)用頻率將達(dá)到兆赫數(shù)量級(jí)。

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