1．靜態(tài)存儲單元（SRAM）

　　存儲原理：由觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)；

　　單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成；

　　優(yōu)點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache；

　　缺點：元件數(shù)多、集成度低、功耗大；

　　常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)。

　　2．動態(tài)存儲單元（DRAM）

　　存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現(xiàn)在：單管基本單元）；

　　刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作；

　　刷新時間：定期進(jìn)行刷新操作的時間。該時間必須小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）；

　　優(yōu)點：集成度遠(yuǎn)高于SRAM、功耗低，價格也低；

　　缺點：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。盡管如此，由于DRAM[1]存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。